場效應(yīng)晶體管IPA60R125P6 品牌：INFINEON/英飛凌
產(chǎn)品規(guī)格：
FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：30A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 960μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：56nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：2660pF @ 100V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：34W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：125 毫歐 @ 11.6A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO-220-FP
封裝/外殼：TO-220-3 整包
【聯(lián)系方式】深圳市明佳達(dá)電子有限公司
電話：0755-83957301
QQ：2850151598
網(wǎng)址：www.hkmjd.com
實單歡迎聯(lián)系：0755-83957301-602 陳小姐
【庫存優(yōu)勢貨源】
BCM20771A0KWFBG
BUK9226-75A
LTC1928ES6-5
SC16C850VIBS
MPC8548EVUAQG
BGSF18DM20
BUK98180-100A
TLV70028DDCR
INA231AIYFFR
5CEBA2F23C8N
VSC8641XJF
HFBR-1524Z
HFBR-2524Z
LFXP2-5E-5TN144C
TPS61061YZFT
S34ML01G100TFI000
RT8514GJ6
STM8S003F3P6TR
LNK302GN
ST72C314J4B6
L6386D
MCHC908QY4CDWE
STM8S103F2P6TR
MC9S08AC32CFGE
NDD04N60ZT4G
TPS5402DR
NCP1207APG
NCP1200P100G
CC2640F128RHBR
R5F364AKNFA
LTC1867ACGN
LT3980EDE
XC7A75T-3FGG676E
30CPQ060
CYWB0124ABX-FDXIT
RTD2668
LM3S1811-IQC50
THGBMBG8D4KBAIR
TC58NVG2S0HBAI4
BAS316
MK10DN512VLK10
RFPA3809
RF5626
SFH421Z
CY8C4125AXI-483
LCMXO2-640HC-4TG100I
PEX8606-BA50BCG
ADV7182WBCPZ
IPA60R380P6
IPA60R125P6
